宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（三月）

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 政策资讯 

3月5日，国务院总理李强作政府工作报告，提出因地制宜发展新质生产力，建立未来产业投入增长机制，培育生物制造、量子科技、具身智能、6G等未来产业。

根据TrendForce集邦咨询的研究，2025年各机器人大厂逐步实现量产的前提下，预估2027年全球人形机器人市场产值有望超越20亿美元，2024年至2027年间的市场规模年复合成长率将达154%。

业界指出，正如AI驱动半导体产业发展一样，具身智能也可以为半导体产业带来助力，尤其是功率半导体领域。此前，特斯拉的Optimus人形机器人搭载了28个关节驱动器，每个驱动器都通过电机驱动，而每个电机则需要1~2颗IGBT等功率器件。

除IGBT之外，氮化镓在具身智能产业的应用潜力也不断凸显。

国内应用方面，近期，中科半导体团队推出了首颗基于氮化镓（GaN）可编程具身机器人动力系统芯片，缩短了具身机器人开发成本和姿态学习时间，有望加速具身机器人产业的商用化步伐。

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 技术前沿 

近日，北京量子信息科学研究院（以下简称“量子院”）量子计算云平台的李铁夫、刘玉龙团队与芬兰Aalto大学、QTF量子研究中心Mika A.Sillanpää教授合作，基于高硬度的单晶碳化硅薄膜材料，于近日成功研制出多模态长寿命的光声量子存储器。存储器在模式稳定性以及信息存储时长等关键性能上刷新了国际记录。目前，相关成果以“Degeneracy-breaking and long-lived multimode microwave electromechanical systems enabled by cubic silicon-carbide membrane crystals”为题在线发表于国际知名期刊《自然-通讯》（Nature Communications）上。

3C-SiC作为一种具有优异性能的半导体材料，以其高热导率和高应力特性，为高Q因子机械振子的研发提供了新的可能。

该研究团队在3C-SiC薄膜晶体中发现了机械振动模式简并破缺现象。这将不仅保留了高Q因子的特性，还展现出独特的模式形状，为微波光声接口系统的精确控制提供了更多选择。

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3月5日，杭州镓仁半导体有限公司（简称“镓仁半导体”）宣布成功研发全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。这一突破是镓仁半导体完全自主创新的铸造法技术的成果，标志着公司成为全球首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录，且创下了从2英寸到8英寸每年升级一个尺寸的行业新纪录。此次突破不仅让中国率先进入氧化镓8英寸时代，也对产业化应用具有深远的意义。

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根据 Orbray 官网消息称，Orbray 开发出世界上最大的自立单晶（111）金刚石衬底的生产技术，尺寸为 20mm × 20mm。这一成果标志着公司在推进基于金刚石的量子器件和功率器件方面迈出了重要一步。

在技术方面，Orbray采用了自主研发的“特殊蓝宝石基板”沉积工艺，并改良了台阶流动生长法（step-flow growth），成功实现了大尺寸斜截面（111）面金刚石基板的制备。其关键技术在于基板的特定角度倾斜设计，能够缓解金刚石晶体生长过程中的内部应力，从而突破大尺寸制造的瓶颈。此外，该公司计划未来进一步扩展基板尺寸，目标是在2026年前完成2英寸（约5厘米）直径规格的商业化准备。

图 2 Orbray 单晶（111）金刚石衬底（20mm × 20mm）

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近日，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、张金风教授研究组在超宽禁带半导体金刚石功率器件方向取得重要进展。在国际知名期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表了题为“Integration of Oxidized Silicon- and Hydrogen-terminated Diamond p-channels for Normally-off High-voltage Diamond Power Devices”的最新研究成果。该研究将硅终端和氢终端金刚石的优势相结合，提出采用硅/氢终端金刚石复合导电通道的增强型金刚石高压场效应管新结构，器件实现了高阈值电压（-8.6 V）和高击穿电压（-1376 V）的优异性能，为下一代高耐压、高效率电力电子系统提供了重要技术路径。

这一结果是国际上硅终端沟道金刚石器件高压特性的第一次报道，其kV级击穿电压具有里程碑式意义，为该类器件在未来高压大功率系统中的应用奠定了基础。

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Novel Crystal Technology近期成功开发了功率品质因数（PFOM）达到 1.23 GW/cm² 的氧化镓垂直 MOS 晶体管（β-Ga₂O₃ MOSFET）。该 PFOM 值是 β-Ga₂O₃ FET 领域的世界最高值，是其他研究机构发表的 β-Ga2O3 FET最高值的 3.2 倍。

图 3 本次开发的 β-Ga₂O₃ MOSFET 的横截面结构和平面布局

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 企业合作 

3月18日，重投天科与鹏进高科、尚阳通科技正式签署合作协议，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工艺的联合攻关。这一合作标志着国内半导体企业在关键材料技术领域的深度协同，旨在突破高端功率器件制造中的关键技术瓶颈。

公开资料显示，重投天科凭借其在产业投资和资源整合方面的优势，为合作项目提供了坚实的资金支持和战略规划。鹏进高科在功率器件设计和制造工艺上拥有深厚的技术积累，而尚阳通科技则在半导体材料研发和生产方面具备强大实力。三方优势互补，形成了从材料研发到器件制造的完整技术链条。

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3月20日，“昕感科技”官微宣布，他们联合浪潮集团、北京能源集团及北汽集团，宣布在新能源全产业链与智能终端领域达成战略合作，以碳化硅技术为核心驱动，推动新能源与智能终端产业链协同创新。

据悉，昕感科技与浪潮集团高管团队组成访问团，先后与北京能源集团、北京汽车集团达成深度合作：

联手北京能源集团：三方达成分布式光伏系统、智能微电网建设、智能算力中心等领域的战略合作。昕感科技将依托自主研发的碳化硅功率芯片及模块产品，为合作项目提供底层支撑，助力三方打造一体化智慧能源解决方案。

联手北京汽车集团：三方围绕新能源汽车产业达成多项共识——联合开发智能交流充电桩及便携式随车充产品；针对运营车辆推出数字化终端改造方案；协同推进北汽AI信息化平台建设，构建车-桩-网协同发展的智能生态。昕感科技碳化硅芯片技术将成为关键突破口。

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3月24日，“清纯半导体”官微宣布，他们继2024年12月与大众汽车（中国）科技有限公司签署SiC合作开发框架协议后，于2025年3月19日通过大众集团POT审核，进入大众集团全球供应商体系。据介绍，清纯半导体将积极配合大众汽车的SiC芯片产品开发及量产项目，双方共同致力于打造国际一流的车载碳化硅功率产品。

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3月2日，据新镓能半导体官微透露，联合厦门大学和广汽埃安新能源汽车股份有限公司，正式揭牌成立车规级功率半导体联合研发中心。

研发中心重磅发布了自主研发的第一代车规级功率半导体芯片产品，将助力氮化镓功率芯片、新能源汽车行业的发展。

据了解，厦门新镓能半导体科技有限公司成立于2024年4月，实际控制人为新加坡半导体公司GAENER SEMICONDUCTOR PTE. LTD.，持股比例约为62.33%。目前，新镓能半导体在无锡市惠山区投资建设了一个“氮化镓功率芯片项目”。

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近日，四川普州大地城市产银科技发展有限公司与新加坡拓谱电子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功签署合作协议，双方将共同成立一家专注于超高压碳化硅大功率芯片项目的合资公司。该项目旨在推进碳化硅芯片的研发与生产，满足市场对高性能、高耐压功率器件的迫切需求。

此次合作不仅是双方优势互补的战略选择，更是对当前半导体产业趋势的积极回应。通过整合四川普州大地在产业资源和市场拓展方面的优势，以及新加坡拓谱在芯片技术研发和国际化运营的经验，合资公司有望在超高压碳化硅芯片领域取得突破性进展。未来，双方将携手推动该项目的落地实施，加速碳化硅芯片的量产化进程，助力全球半导体产业的升级与发展。

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3月18日，恒邦科技与杭州泰昕微电子有限公司举行签约仪式，宣布成立变频器集成模块应用开发联合实验室。资料显示，泰昕微电子作为国内专注功率半导体超高集成化的系统方案商，面向新能源汽车、太阳能、风电等领域，专注于IGBT/SiC 等功率模块及分立器件的研发、设计、封测业务次。此次合作，泰昕微电子将凭借在IGBT/SiC模块领域的技术积累，与恒邦科技在变频器领域20余年的经验深度融合。

双方实验室将围绕IGBT/SiC功率模块的性能优化与可靠性提升展开攻关，目标覆盖工业自动化、新能源装备及智能制造场景。通过联合开发高度集成化、智能化的变频器模块，推动变频系统在风电、光伏等新能源领域的能效升级。

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3月27日，据日媒消息，罗姆和马自达宣布达成合作，正在开发基于氮化镓技术的汽车组件，为兼具能源效率和创新的未来汽车做准备。据介绍，罗姆和马自达此次联合开发主要针对车载充电器（OBC）、DC-DC转换器及车辆逆变器，罗姆将开发高效GaN器件和栅极驱动器，以提高汽车应用的性能，并提供同时实现小型化和低功耗的EcoGaN™解决方案。双方计划在2025年之前开发出一款演示设备，并在2027年之前实现商业化。

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3月28日，金威源在官微宣布，他们已经与杰平方半导体（上海）有限公司正式签订碳化硅战略合作协议。双方将携手抓住市场机遇，致力于为新能源汽车提供高性价比的碳化硅方案，实现合作共赢：一方面，与优质稳定的供应商合作，金威源能够从根本上把控产品质量和价格，为客户提供更可靠、更具性价比的产品。另一方面，选用碳化硅这一高端材料，将推动开关电源产品的性能提升，为客户带来更优的体验。

深圳市金威源科技股份有限公司是业界领先的整体电源解决方案提供商。

杰平方半导体（上海）有限公司是聚焦车载芯片研发和生产的半导体企业，其全资子公司杰立方半导体（香港）有限公司在香港布局了一条8英寸SiC晶圆线，计划于2026年投产。

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近日，据韩国媒体News Fim报道，Power Cube Semi 株式会社与GM Jeco株式会社已经宣布签署电动汽车功率半导体供应合作谅解备忘录。

据悉，Power Cube Semiconductor 与 GMJCO 计划共同开发针对电动汽车逆变器优化的碳化硅功率半导体及模块，目标是到2029年进入全球汽车制造商市场。接下来，双方计划将Power Cube Semi 的碳化硅功率半导体后端定制技术与GMJECO 的双面冷却模块设计技术相结合，推出能够与英飞凌、意法半导体等全球头部企业竞争的产品。

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新产品/新技术 

3月26日，天科合达发布三款新产品分别是8英寸光波导型碳化硅衬底（另名光学级碳化硅衬底）、12英寸热沉级碳化硅衬底以及液相法P型6英寸衬底。

图 4 8吋光学级衬底、12吋热沉级碳化硅衬底、6吋P型衬底

8英寸光波导型碳化硅衬底。是天科合达针对AR眼镜领域的前沿布局。目前推出的光波导型碳化硅衬底产品厚度为350/500/700μm，透光率>95%（镀增透膜后），折射率为2.7 （450nm波长下），能助力解决传统AR眼镜视场角窄、彩虹纹及散热等难题。针对市场对光波导型碳化硅衬底的需求，公司计划加快推动8英寸产品量产进程，并计划2025年下半年推出12英寸产品。

12英寸热沉级碳化硅衬底。天科合达现已开发出适配8-12英寸晶体长晶炉，成功实现大尺寸晶体的生长。目前，已成功加工出12英寸样片。

液相法P型6英寸衬底。天科合达于2025年初成功生产出首批液相法6英寸P型碳化硅晶体，该晶体结晶质量优异，电阻率低。作为制备N沟道IGBT器件的关键原材料，液相法P型6英寸衬底有望为电力电子领域的大规模应用提供有力支持，助力智能电网与能源互联网建设。

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九峰山实验室成立之初就已超前布局以氮化镓材料为核心的研究，现已全方位从材料、器件到产业应用取得一系列突破性成果。

九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面越级提升，为下一代通信、自动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术发展提供有力支撑。

九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。

九峰山实验室基于自主研发的氮化镓（GaN）器件，成功构建起动态远距微波无线传能系统，并在20米范围内实现对无人机的动态无线供能示范验证。该技术突破了传统无线充电的距离限制，解决了接收端功率波动与能量转换效率低的难题，为物流、农业、工业4.0、智能家居等领域提供了创新性技术储备，标志着我国在高频高功率无线传能领域的探索迈入新阶段。

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近日，北方华创正式发布公司首款12英寸电镀设备（ECP）Ausip T830和首款离子注入机Sirius MC 313。

首款12英寸电镀设备（ECP）Ausip T830专为硅通孔（TSV）铜填充设计，主要应用于2.5D/3D先进封装领域。该产品标志着北方华创正式进军电镀设备市场，并在先进封装领域构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电镀、PIQ 和清洗设备的完整互连解决方案。

目前北方华创在离子注入设备的束流控制、调束算法、剂量精准控制等关键技术方面取得多项突破，自主开发出具备能量精度高、剂量均匀性好、注入角度控制精度高等特性的高端离子注入设备。

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近日，西湖仪器成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。

与6英寸和8英寸衬底相比，12英寸衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本。

2024年12月，国内碳化硅头部企业已披露了最新一代12英寸碳化硅衬底，在引领国际发展趋势的同时，也提出了12英寸以上的超大尺寸碳化硅衬底切片需求。

与之相应，西湖仪器以最快速度推出了“超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术”，率先解决了12英寸及更大尺寸的碳化硅衬底“切片”难题。

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3月11日，青禾晶元在香港隆重举办新品发布会，全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB 82CWW系列震撼亮相！SAB 82CWW系列设备采用了全球先进的一体化设备架构，将C2W和W2W两种技术路线从“非此即彼”变为“协同进化”，并具备多项技术亮点双模工艺集成、多尺寸兼容、超强芯片处理能力、兼容不同的对准方式、创新的键合方式、高精度、高效率、智能化偏移补偿。

该SAB 82CWW系列混合键合设备在存储器、Micro-LED显示、CMOS图像传感器、光电集成等多个领域展现了广泛的应用前景。

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被大家称为深圳“国家队”的企业新凯来，首次亮相全球半导体盛会SEMICON China 2025，“新凯来”发布6大类31款新品，覆盖刻蚀产品、扩散产品、薄膜产品以及物理量测、X射线量测、光学量检测6大类。首次公开亮相便以五款“名山系列”高端设备震撼全场，直接剑指半导体制造核心环节的国际垄断格局。

在本次行业盛会上，新凯来集中展示了其最新研发的五大核心半导体设备，包括高精度薄膜沉积设备、先进离子注入系统、新一代涂胶显影设备、化学机械抛光(CMP)系统以及全自动晶圆检测设备，全面覆盖半导体制造的关键工艺环节。这些设备的亮相，标志着中国半导体设备企业已从单点突破迈向系统化布局的新阶段。

图 11 新凯来产品矩阵

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2025年3月17日晚，比亚迪在万众瞩目中举办了超级e平台技术发布暨汉L、唐L预售发布会，会上正式发布了超级e平台，这是全球首个量产的乘用车“全域1000V高压架构”，将电池、电机、电源、空调等全系高压部件都做到了1000V，将新能源汽车带入“油电同速”时代。同时，为了匹配超高功率充电，比亚迪自研并量产了全新一代车规级碳化硅功率芯片，该芯片的电压等级高达1500V，引起了业内的广泛热议。

比亚迪自研的这款碳化硅功率芯片，不仅电压等级高达1500V，而且具有更高的能效和更小的体积。相比传统的硅基功率芯片，碳化硅芯片能够大幅降低能量损耗，提升系统的整体效率。这一技术的突破，对于提升新能源汽车的充电速度和续航里程具有重要意义。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/mvQPOIKg5-FN-ofjQHw0Ew

瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品，可应用于光伏等领域，已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。

图 12 瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块产品图

瞻芯电子介绍，2000V SiC MOFET和Diode特别适用于1500V 光伏升压电路。在升压变换电路中，2000V SiC分立器件能简化电路拓扑、减少元器件数量，降低总物料成本，同时让应用控制更简单。对比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模块产品，还进一步简化了电路设计，大幅提升了功率密度。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/p3C--Oz08qkpeHti1EB0AA

3月11日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。该产品适用于高频、高效率功率变换系统，具有安全可靠、尺寸紧凑、安装方便等特点。

该模块产品内置1200V 9mΩ SiC MOSFET芯片组成半桥电路，具有较低的杂散电感，简化了应用电路的设计，相对于分立器件方案，提升了功率密度。同时集成热敏电阻(NTC)以监测温度。该产品具有开尔文源极引脚，能在SiC MOSFET高速开关时，抑制驱动电压尖峰，保障高频开关应用的安全和可靠。

这款模块采用瞻芯电子第二代平面栅1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表现，支持+15V至+18V开通电压和-3.5V至-2V关断电压，额定电流100A。

图 13 瞻芯电子1200V SiC 半桥1B封装模块产品图

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/ge6q5WLhDAeJmAZc7_XCKg

近日，重庆青山（长安汽车子公司）与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

此次双方联合研发的SiC功率芯片，在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。

器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上；阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/p3C--Oz08qkpeHti1EB0AA

3月2日，比亚迪、大疆共同发布了智能车载无人机系统——灵鸢，作为全球首款高度集成的车载无人机系统，灵鸢系统具有换电版和快充版两个版本，其中快充版售价为16000元。

值得关注的是，灵鸢系统采用双侧对夹式100W快充模块，采用氮化镓材料将充电效率提升至94%，-30℃低温环境下仍可30分钟补电60%。同时，它还融合了车载无人机定位模块、4K高清车顶摄像头等多个配置，可以帮助用户实现动态起降、随动跟拍、地空双摄等功能，实现“轻松拍大片”。

未来，随着“灵鸢”的发布与普及，预计将会有更多用户体验到这一技术，让智能车载无人机系统，从小众功能逐渐走向大众标配。

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近日，在国内电气检测设备领域，北京博电新力电气股份有限公司（以下简称“博电科技”）取得了一项重大突破。

该公司董事长陈卫近日透露：博电科技自主研发的高性能SiC电网模拟器等产品，成功攻克高开关频率、低功耗、抗过载、软件控制等一系列技术难题，最终研制出最高功率可达MW级成功填补了国内高端检测设备领域的空白，目前已吸引了大量订单。

该产品应用范围极为广泛，不仅在新型电力系统测试中发挥关键作用，还在航空航天、新能源汽车、轨道交通、微电网等多个行业展现出巨大价值。

以应对电网高次谐波为例，这种电流、电压的不规则波动情况，高性能SiC电网模拟器既能精准模拟电网常规的50赫兹需求，也能满足航空航天电气系统特殊的400-800赫兹需求。

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SiC器件开发商SemiQ Inc发布了三款1200V SiC全桥模块，每个模块都集成了两个带有可靠体二极管的坚固耐用的SemiQ高速开关SiC MOSFET。

开发这些模块是为了简化光伏逆变器、储能、电池充电和其他高频直流应用的开发。

模块有18mΩ、38mΩ和77mΩ（RDSon）三种规格，在超过1350V的电压下进行过测试，具有高达102A的连续漏极电流、高达250A的脉冲漏极电流和高达333W的功率耗散。

坚固耐用的B2模块可在高达175℃的结温下工作，具有极低的开关损耗（25℃时EON为0.13mJ，EOFF为0.04mJ——77mΩ模块）、低零栅电压漏极/栅源漏电（0.1µA/1nA——所有模块）和低结壳热阻（每瓦0.4℃——18mΩ模块）。

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据新微半导体消息，3月10日，新微半导体正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台。

该平台基于增强型HEMT结构，实现了导通电阻3mΩ・cm²的行业领先水平，支持500V-800V宽电压应用，适用于快充电源、服务器电源及光伏微型逆变器等场景。目前，新微半导体已与多家消费电子品牌及电源厂商展开合作，其GaN器件产品在65W-240W快充市场的渗透率逐步提高。公司计划在2025年第四季度推出基于该工艺的车规级GaN芯片，瞄准车载DC/DC转换器市场。

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沃尔沃汽车：ES90采用800v架构

3月5日，沃尔沃官方发布全新纯电动旗舰轿车 ES90，预计今年第四季度启动全球交付。

据悉，ES90作为沃尔沃首款800V高压平台车型，在电动化核心技术上实现多项突破。该车采用碳化硅电驱系统，搭载最大功率为370kW的电机和111kWh麒麟电池包。在CLTC工况下可实现715km续航里程，配合350kW超充桩可实现10%～80%电量仅需18分钟的补能效率。

东风汽车：新SiC车型量产在即

3月1日，东风在广州长隆举办“NI好——最家技术发布会”，首秀中高级纯电轿车N7。据悉，N7量产在即。

据悉，在动力系统方面，N7 搭载东风汽车公司自产的TZ200XS3JD驱动电机，最大功率为200kW，配合800V 碳化硅平台实现充电 10 分钟续航 400 公里的补能效率。

宝马汽车：纯电动BMWi5引入SiC

近日，宝马汽车官方宣布，宝马i5 eDrive35L车型正式登陆中国市场，配备升级后的电池系统，并提供了豪华套装与M运动套装两种版本，官方售价为43.99万元。

据悉，在动力方面，该车依旧为纯电动系统，搭载最大功率为200kW的后置单电机，CLTC工况下纯电续航里程则提升至618km，快充时间则达到了0.55小时。

从2025年3月起，BMW i5 将迎来一次重大升级，该车在电力电子系统中引入了碳化硅半导体（SiC转换器），使其续航里程增加最多47公里。

理想汽车：新SUV采用自研SiC模块

2月25日，理想汽车官方宣布，旗下首款纯电动SUV车型—理想i8，将于今年7月正式面世。

据悉，该车采用了理想汽车自研的SiC功率模块，该模块已于2月13日开始量产。理想 i8 基于 800V 架构打造，采用前 155kW、后 245kW 的驱动电机，综合功率 400kW，具备 5C 超充能力。

起亚汽车：发布新款SiC EV4

2月27日，起亚在 2025 起亚电动汽车日上发布首款电动轿车和掀背车 EV4。海外起售价约为3.5万美元（约25.5万元），起亚 EV4将于 2025 年在全球开始销售，首先于3月份在韩国市场销售。据悉，新款起亚EV4采用 400V 架构，配备前置150 kW 电机，最高时速均为 170 公里/小时。

比亚迪汽车：新SiC车型正式上市

3月5日，比亚迪官方宣布元PLUS智驾版正式上市。该车共推出五个配置版本，售价区间在11.58万-14.58万元。

据悉，在动力方面，该车搭载型号为TZ200XSQ的驱动电机，保持CLTC工况510km续航里程的稳妥配置，150kW永磁同步电机带来7.3秒破百的驾驶体验。2024年5月，比亚迪发布全新SiC车型，售价拉低至18.98万元，其SiC芯片需求大幅提升。同时，还发布全新一代电驱，该电驱采用1200V碳化硅模块。此外，比亚迪旗下的海洋、仰望、方程豹和腾势4大品牌此前推出多款SiC车型，其中包括海洋品牌的海狮07、ocean M、皮卡Shark。

鸿蒙智行：尊界新SiC车型即将上市

2月20日，鸿蒙智行尊界技术发布会在广东省深圳市召开。华为终端BG董事长、智能汽车解决方案BU董事长余承东在发布会上透露，尊界品牌的首款车型尊界S800将搭载以上六大智能化技术，预计于5月底正式上市。

余承东在发布会上透露，尊界品牌的首款车型尊界S800将搭载以上六大智能化技术，预计于5月底正式上市。据悉，尊界 S800 将搭载530kW的双电机和配备 65kWh、6C 的增程电池（从 10%～80%充电只要 10.5分钟），该车纯电续航可达200公里，配合1.5T增程发动机，综合续航能达到860公里。

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据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。

该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同时，有效突破平面MOSFET性能提升瓶颈问题，进一步提升芯片性能、大幅降低成本。

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3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。

据悉，EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合（涵盖15A至35A的低电流）形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。

该模块集成独立高边栅极驱动、低电压集成电路（LVIC）、六颗 SiC MOSFET 及温度传感器，通过优化短路耐受时间（SCWT）与热管理能力，显著降低系统损耗与体积。以数据中心电子换向（EC）风扇为例，相较于传统 IGBT 方案，SPM 31 可将年能耗成本降低 52%，同时支持更高频率的开关速度，满足AI服务器散热系统对高效稳定运行的需求。

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3月12日，纳微半导体宣布其发布了量产级650V双向GaNFast™氮化镓功率芯片及高速隔离型栅极驱动器，导通电阻分别为50 mΩ、100 mΩ，目标市场涵盖电动汽车充电（车载充电机OBC及充电桩）、光伏逆变器、储能系统及电机驱动等领域。

对此，纳微半导体发布的双向GaNFast™氮化镓技术具有两大益处：一是可以将两级整合为单级高频高效架构，彻底消除电容与输入电感，成为电动汽车OBC等场景的终极解决方案。二是采用尖端单芯片设计（单片集成），通过合并漏极结构、双栅极控制及集成专利的有源基板钳位技术，实现双向开关的突破。一颗双向GaNFast™氮化镓功率芯片可替代最多4个传统开关器件，显著提升系统性能，同时减少元件数量、PCB面积和系统成本。

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近日，英飞凌在官网透露，其推出采用全新硅基封装的 CoolGaN™ G3 晶体管，将推动全行业标准化。据悉，过去GaN 供应商对封装类型和尺寸采取了不同的方法，导致碎片化，并且缺乏多个与封装兼容的来源供客户使用。而英飞凌发布的 CoolGaN™ G3 晶体管具有 100 V、80V两种规格，分别采用RQFN 5×6 封装、RQFN 3.3×3.3 封装，典型导通电阻为 1.1 mΩ、2.3 mΩ。新器件与行业标准硅 MOSFET 封装兼容，满足客户对标准化尺寸、更易于操作和更快上市时间的需求。此外，新封装与 GaN 相结合，可提供低电阻连接和低寄生效应，从而在一定面积内实现高性能晶体管输出。由于暴露表面积更大、铜密度更高，热量分布和消散得更好，这种芯片和封装组合在热循环方面具有很高的稳健性，并且提高了热导率。

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近日，德州仪器（TI）宣布推出一系列集成式 GaN 功率级芯片，以满足现代数据中心快速增长的电力需求。据 TI 称，这些产品采用采用TOLL封装，让设计人员能够充分利用 TI GaN 效率，而无需进行昂贵且耗时的重新设计。此外，新的GaN 功率级芯片集成了高性能栅极驱动器和 650V GaN FET，同时实现了高效率（>98%）和高功率密度（>100W/in3）。它们还集成了先进的保护功能，包括过流保护、短路保护和过热保护。这对于服务器电源等 AC/DC 应用尤其重要，因为设计人员面临着在更小空间内提供更大功率的挑战。与此同时，TI 还在 APEC 会议上展示了许多基于 GaN 的电源应用，包括戴尔的 1.8kW 服务器PSU、Vertiv 的 5.5kW 服务器 PSU、长城电源 8kW PSU。

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近日，深圳平湖实验室团队发表了一篇题为《SiC沟槽MOSFET的新结构及工艺方法》文章，绍了一种新型沟槽栅SiC MOSFET 器件，以进一步改善沟槽栅SiC MOSFET的比导通电阻，大大节省制造成本。该器件主要有几个特点：一是加入了 p 底部区域来保护沟槽结构底部的栅极氧化层，器件的沟道位于沟槽侧壁的两侧。二是通过利用控制氯化氢 (HCl) 气体流速的沟槽再填充工艺，使得器件制造工艺无需使用离子注入。根据TCAD模拟结果，该器件的p连接层的横向厚度保持在 400Å 以下。所开发的沟槽SiC MOSFET展示了阻断1174V反向偏置电压的能力，而且n型漂移层在p底部区域下方的最小厚度为 7μm。

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3月12日，日本产业技术综合研究所（AIST）与明电舍联合宣布，开发了世界首个内置SiC CMOS驱动电路的SiC功率模块，并开出发相应的电驱系统。

他们将这款模块命名为“SiC CMOS功率模块”，主要有几个亮点：

▲ 导通波形和截止波形的开关速度分别为72V/ns和85V/ns，比当前SiC模块快大约10倍；

▲试验证明，这个开关速度的提升使得SiC模块的开关损耗可以减少大约十分之一。

▲这种驱动方法降低了噪音，有助于提高电机系统的可靠性。

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近日，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要技术突破，在富加镓业的氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10微米的薄膜，经国家权威检测机构验证，该技术已达到国际领先水平，相关标准化产品将于2025年4月上市，为新能源汽车高压平台、智能电网柔性输电装置等高端装备提供关键材料支撑。

第三方检测机构——中国计量科学研究院的测试结果表明，MOCVD外延薄膜的背景载流子浓度控制低至3.6E15 cm-3，迁移率达到172.7 cm2/V·s。基于MOCVD技术的高质量氧化镓同质外延薄膜的研制成功，未来将助力3300V以上垂直型高压功率电子器件产业快速落地。

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项目建设/投融资信息 

3月7日，据“中国（福建）自由贸易试验区厦门片区管理委员会”发文，瀚天天成的8英寸碳化硅外延晶片厂房已完成建设，其设备预计3月份完成下单采购。

据报道，2024年12月，瀚天天成完成了Pre-IPO轮融资，此次融资旨在加快该公司在厦门投资建设8英寸碳化硅外延片生产线。此次融资由厦门产投联合两只工银AIC基金共同推动，得到了厦门市政府、市财政局的指导和支持。基金出资方包括厦门产投、福建省产业基金等基金，实现了央企、省、市、区资金的联动，目标规模高达100亿元，首期设立规模为30亿元。

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据“博世汽车电子”3月6日消息，博世汽车电子中国区（ME-CN）在苏州五厂建成碳化硅（SiC）功率模块生产基地，并于2025年1月成功下线首批产品，较原计划提前半年。

据了解，2023年1月，博世汽车部件（苏州）有限公司与苏州工业园区管理委员会签署投资协议，在苏州投资建立博世新能源汽车核心部件及自动驾驶研发制造基地，该项目总投资高达10亿美元（约72.5亿人民币），主要围绕新能源汽车核心部件，包括新一代碳化硅功率模块单元的电驱产品等多款自动驾驶核心技术进行研发和生产。该项目将于2023年3月举行奠基仪式，2024年10月正式落成启用。

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据“西部重庆科学城”官微报道，3月17日，斯达半导体位于重庆的安达车规级模块生产基地项目正式封顶，未来达产后产能高达180万片。该项目是由长安旗下的深蓝汽车与斯达半导体共同组建。

据安达半导体相关负责人透露，该项目2025年5月将达到设备进场条件，6月实现小批量生产。此外，该产线将按工业4.0标准打造，基本实现无人操作，一期产能50万片，二期将达到180万片。

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3月1日，江都区重大项目建设动员会暨利普思车规级第三代功率半导体模块项目开工活动在开发区举行。该项目总投资10亿元，占地32亩，项目建成后可实现年产车规级SiC模块300万只，年销售收入10亿元，年税收5000万元。

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2025年2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。该项目2024年6月18日正式开工，经过8个月紧张有序的建设，于2月28日正式封顶。

该项目一期总投资70亿元，努力争取在2025年年底实现初步通线，2026年一季度投产，到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。项目的建成，将能较好的满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

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3月11日，据明报新闻网报道，香港微电子研发院（MRDI）正在设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，预计在2025年内完成安装及调试。

资料显示，香港微电子研发院（MRDI）成立于2024年9月，其建设资金为28.38亿港元（约合人民币26.4亿），来源于香港立法会财务委员会批准的“创新及科技基金”。其中，24.78亿元（约合人民币23亿）用于建立中试线，其余资金为5年内的运营开支。业务方面，该研究院专注于第三代半导体的研发，包括碳化硅及氮化镓，计划在元朗微电子中心设置中试线平台，将协助中小企业解决研发痛点、进行试产，推动科研成果实现产业化落地。

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近日，新疆哈密市哈密优普莱芯材科技有限公司高品质金刚石毛坯及芯片衬底材料项目正式开工，标志着哈密市在碳基半导体产业领域迈出了重要一步。

该项目采用国际最先进的微波等离子体化学气相沉积技术，建成后将形成年产2.5万片2英寸金刚石衬底材料、6英寸金刚石晶圆3000片、50万克拉毛坯钻的产能。这不仅填补了区域产业空白，还将助力哈密市成为全国碳基半导体产业的核心基地。

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3月27日，日本三垦电气株式会社（以下称“三垦电气”）于董事会上决议，将耗资约13亿日元（约6300万元人民币）收购拥有氮化镓（GaN）外延技术自主知识产权的株式会社Powdec（总部：栃木县小山市，法人代表：成井启修，以下称“Powdec”）的全部股份（以下称“本次收购”），特此公告。本次收购预定将于2025年4月1日完成。

三垦电气表示，本次收购的Powdec公司拥有多项关于PSJ（Polarization Super Junction）技术的专利，能够实现高性能GaN功率器件。

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2月18日，据外媒EE NEWS报道，剑桥 GaN Devices (CGD) 已完成 3200 万美元（约2.3亿元人民币）的 C 轮融资。该项投资由战略投资者领投，英国耐心资本参与。此次融资旨在扩大CGD在剑桥、北美、中国台湾和欧洲的业务，并将推动实施CGD 继续向大功率工业、数据中心和汽车市场提供高效的GaN 产品的增长战略。CGD 首席执行官兼创始人 Giorgia Longobardi 博士表示，此次融资验证了他们的技术，此外还通过高效的GaN解决方案彻底改变电力电子行业的目标—使可持续的电力电子成为可能。他们期待与其战略投资者共同开拓汽车市场。

1月15日，据佛蒙特大学发布的新闻稿，美国经济发展局向佛蒙特州科技中心（佛蒙特大学、GlobalFoundries 和该州之间的合作伙伴关系）拨款 2380 万美元（1.72亿元人民币），此次融资旨在促进 GlobalFoundries 氮化镓半导体（GaN）芯片设计和制造的技术项目。据新闻稿称，这些项目包括：一个供初创企业使用 GaN 半导体设计工具的中心、一个用于测试基于 GaN 的设备的开放式实验室，以及一个培训学生微芯片制作技能的教育项目。此外，该科技中心将利用新资金，计划培训超过 500 名微芯片制造行业新员工，并希望鼓励超过 6,000 名佛蒙特州 K-12 学生探索 STEM 职业。

3月6日，据外媒DCD报道，加拿大无晶圆厂半导体公司 Emtar Technologies 已完成最新一轮天使融资，金额达1850 万加元（约9275万元人民币）。该公司表示，此次融资旨在加速开发基于GaN的下一代无线片上系统（SoC）和边缘计算技术，并进一步加强了与行业领袖、研究机构和生态系统合作伙伴的合作。Emtar 首席执行官 Alvis Huang 表示：在此次的融资加持下，他们将取得了重大的技术进步。除了不断突破创新界限之外，他们仍专注于提供能够提高效率和可持续性的高效解决方案。

3月12日，豫信电科在上海证券交易所成功完成首单私募科创债券发行工作，募资规模达5亿元人民币。本次发行获得金融机构、产业基金等多方投资者踊跃认购，充分彰显资本市场对豫信电科科技创新能力、战略布局及偿债能力的高度认可。募集资金将重点投向半导体材料研发、电子信息制造产业链补链强链项目，并用于补充流动资金，加速技术成果转化与产业化进程。

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