2025年SiC市场趋势:技术突破、价格战与产业洗牌

碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料,凭借其高击穿场强、高导热性和高耐温性,在新能源汽车、光伏储能、5G通信等领域展现出巨大的应用潜力。

图片

2024年,国内SiC衬底和外延市场经历了价格剧烈波动与产能大幅扩张,尤其是6英寸SiC衬底价格已逼近成本线,而8英寸技术的突破也在加速推进。市场竞争日益激烈,价格下跌的主要驱动力来自下游市场需求的快速增长,同时国产供应商的竞争加剧也加速了价格下降。

展望2025年,SiC市场将迎来行业洗牌,技术实力、资金储备以及产业链协同能力将决定企业的生存空间。随着价格趋于稳定,行业将进入高质量发展阶段,形成更成熟的竞争格局。

图片

PART 1:SiC外延与衬底市场现状及扩产速度

SiC衬底与外延技术:SiC器件的核心环节

SiC衬底是外延生长的基础,而外延层的质量直接决定了器件的关键性能,如耐压能力和缺陷密度。截至2024年3月,国内SiC外延片的年产能已接近200万片,未来规划总产能更是突破700万片,展现出强劲的产业化趋势。

图片

6英寸衬底仍为市场主流,8英寸技术加速推进

  • 6英寸衬底价格大幅下降
    2024年底,国内6英寸SiC MOS衬底价格已降至2500-2800元,全年降幅超40%,接近成本线。但天岳先进凭借技术优势,国内售价仍维持在2800-3000元,出口价格更是稳定在3000元以上
  • 8英寸衬底产能逐步释放
    国内厂商天岳先进、晶盛机电等企业已实现技术突破,2025年月产能预计达到1万-1.5万片。不过,均匀性和良率仍与6英寸有一定差距,短期内难以完全取代6英寸衬底。预计未来三年内,6英寸衬底仍将保持市场竞争力

图片

外延市场快速成长,CVD工艺占主导地位

  • 主流外延技术
    当前,化学气相沉积(CVD)依旧是最成熟的外延工艺。国内厂商瀚天天成、天域半导体等已实现6英寸和8英寸外延片量产
  • 外延层决定器件性能
    如1200V SiC器件需要10-15μm外延层,而15000V超高压器件则需要145μm以上的外延层
  • 技术瓶颈
    微管(Micropipe)、基面位错(BPD)等缺陷仍是影响器件良率的关键问题,是目前行业攻关的重点方向。
  • 设备国产化加速
    晶盛机电、北方华创等国产设备厂商正在逐步打破国际巨头Aixtron和LPE的垄断,推动设备国产化率的提升。

新能源汽车市场推动SiC需求增长

  • SiC功率模块价格大幅下降
    国际厂商的6并碳化硅模块价格已降至2000元以内,国产厂商甚至可低至1500元,加速了SiC在新能源汽车中的渗透率。
  • 地方政府和资本助推产业扩张
    随着各地政府和投资机构的积极布局,SiC产能扩张进入高峰期,但也带来了市场供给过剩的风险。

预计2025年SiC市场将进入淘汰赛阶段中小企业因资金和技术实力不足或将被市场淘汰,而具备完整产业链布局的龙头企业将占据更大市场份额

PART 2:SiC衬底与模块价格下降的驱动力

1. 下游需求推动SiC价格下降

  • 新能源汽车需求旺盛
    SiC器件成本敏感度高,随着电动车渗透率持续提升,车企大规模采购SiC模块,促使供应商通过规模效应降低成本
  • 光伏与储能市场崛起
    SiC器件的高耐温、高效率特性使其在新能源应用中不可替代。随着“双碳”政策推进,光伏装机量和储能需求激增,SiC衬底与外延片的需求同步增长,推动价格下降。

2. 国产供应商竞争加剧,价格战愈演愈烈

2024年,国内6英寸SiC衬底价格全年降幅超40%,从年初的4000-4500元跌至2500-2800元,直逼成本线。
中小厂商通过低价抢占市场,导致恶性竞争,但也加速了SiC产品的普及与成本优化。

3. 技术进步推动成本降低

  • 衬底生长工艺优化
    物理气相传输法(PVT)等技术改进,使SiC晶体缺陷率降低,良率不断提高。例如,6英寸衬底的微管密度从10个/cm²降至1个/cm²以下,产品质量显著提升。
  • 8英寸衬底降本趋势明显
    理论上,8英寸SiC衬底可将器件制造成本降低60%,但目前良率仍需优化,短期内仍以6英寸为主。

4. 规模效应提升成本竞争力

  • 垂直整合模式降低成本
    龙头企业(如比亚迪)已经建立从衬底到模块的全链条布局,减少供应链成本,提高生产效率。

2025年SiC市场价格预测与趋势

  • 6英寸SiC衬底
    2025年价格下降幅度预计放缓至10-20%,底线可能稳定在2000元以上
  • 8英寸SiC衬底
    当前价格8000-10000元,预计可快速降至5000元以内,但受限于良率,短期内仍难成为市场主流。
  • SiC功率模块
    国产6并SiC模块价格预计降至1200-1500元,进一步提升市场竞争力。

总结:SiC市场迎来产业洗牌,头部企业强者恒

SiC市场正处于技术突破、产能扩张和价格下降的关键阶段。短期内,市场竞争加剧导致价格战,但长远来看,这将促进SiC产业链的成熟与优化

2025年,行业洗牌加速,资金实力强、技术领先、供应链整合能力突出的企业将成为最终赢家。价格战告一段落后,SiC产业将迈入高质量发展阶段,为新能源汽车、光伏储能等行业提供更优质的核心材料。

注:内容来源于网络,图片非商业用途,存在侵权告知删除!合作交流请加编辑部微信:zggt123456
图片

 

创建时间:2025-04-18 14:43
首页    2025年SiC市场趋势:技术突破、价格战与产业洗牌