宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（四月）

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 政策资讯 

近日，河南省工业和信息化厅、河南省财政厅、河南省科学院联合关于发布《河南省重点新材料首批次应用示范指导目录（2025版）》（以下简称“目录”）的通告，目的在于加快河南省新材料示范应用，推动新材料产业高质量发展。目录中包含碳化硅、金刚石、石墨等碳材料，以下对相关内容做出摘录：

· 超精密加工用CBN成型磨削磨轮

(1)产品径向和端面跳动≤0.002mm；(2)成品轮廓精度≤0.005mm；(3)工件磨削表面粗糙度≤Ra0.4um；(4)加工工件轮精度一致性偏差≤0.005mm。

· 金刚石研磨垫

(1)去除率>50um/min；(2)粗糙度Ra<200nm；(3)划伤率<5%

· 大尺寸多晶金刚石光学片

(1)尺寸≥4英寸；(2)透过率>60%；(3)粗糙度Ra<5.0nm；(4)面形精度PV≤1/2 λ。

· 碳化硅单晶生长坩埚用高纯石墨

(1)密度>1.80g/cm³；(2)电阻率(uΩ·m)：8-13；(3)热胀系（室温-1000℃）：≤5.8；(4)灰分≤50ppm；(5)碳化硅长晶坩埚使用寿命≥5次；(6)碳化硅长晶厚度≥60mm。

· 多晶金刚石导热片

(1)直径≥4英寸；(2)磨耗比≥20万；(3)硬度：8000-10000kg/m²；(4)热膨胀系数：1.1mk；(5)热导率：≥1200w/m.k。

· 多晶金刚石热沉片

(1)尺寸：2-6英寸；(2)厚度：0.2-1mm；(3)热传导率(W/(m·K))：1200，1500，1800，2000；(4)热扩散系数(cm²/s)：6.6，8.2，9.9，11.0；(5)热膨胀系数（RT-700℃）：（10-6K-1）：3.1962；(6)杨氏模量（GPa）：1000-1100；(7)介电常数(1MHz)：5.68；(8)绝缘耐压：11KV/mm。

· 碳化硅晶圆衬底精磨液

(1)粒度：D50=2.0um；(2)圆度：0.94-0.95；(3)电导率：40-90uS/cm；(4)粘度：210-400；(5)去除速率>19.00nm/min。

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 技术前沿 

近日，大连理工大学集成电路学院梁红伟教授课题组在OVPE外延Ga₂O₃ 厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展，以OVPE外延方法在（010）面实现10μm以上Ga₂O₃ 厚膜，并通过分析Ga₂O₃ 外延成核机制构建了位错线形成的三维模型，解释了具有角度和指向性位错线的形成机制。相关研究成果以“The three dimensional model of extended defects in β-Ga₂O₃ homoepitaxial film”为题发表于Applied Physics Letter并作为当期的Featured article。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/u6765t8rkMPSQGrsihxM5A

近日，中国科大微电子学院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Vertical GaN PiN Diode Under Proton Irradiation: Impact on Conductivity Modulation”为题发表于电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters。

宇航应用中的GaN功率电子器件面临在空间粒子辐照下漏电流增大、阻断电压降低等问题。针对上述问题，课题组研制出具有电导调制能力的千伏级垂直型GaN二极管，系统研究了其在高能质子辐照下的电学特性变化规律及相关机制。在能量为10MeV~50MeV、剂量高达1×10¹⁴cm⁻²的高能质子辐照下，所研制的垂直型GaN二极管的阻断电压仍维持在1700V以上，在国际上报道的同类器件中较为领先。同时，垂直型GaN二极管在高能质子辐照后仍具有电导调制能力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/1ORJn7J-waC-eQtkmxUIew

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/1O1vHcIgvyRO4jl_aFjuog

NIMS 的一个研究小组开发出了世界上第一个 n 通道金刚石MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于金刚石的CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路迈出了重要一步，使其能够在极端环境中使用，并推动了基于金刚石的电力电子的发展。

该MOSFET主要由一个n沟道金刚石半导体层和另一个掺杂高浓度磷的金刚石层组成。后者金刚石层的使用显著降低了源极和漏极接触电阻。该团队证实，制造的金刚石MOSFET实际上可用作n沟道晶体管。

此外，研究团队还验证了该MOSFET优异的高温性能，其重要的晶体管性能指标——场效应迁移率在300℃时约为150cm²/V･sec。

这些成果有望促进CMOS集成电路的发展，用于制造恶劣环境下的节能电力电子、自旋电子器件和（MEMS）传感器。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/F29psI13YZrDsBWyQ_M35Q

4月11日，从中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。

金刚石材料用于微波激射器，具有体积小、成本低、可在室温环境下连续稳定运行的优势。“金刚石微波激射器作为一条新的技术路线，此前国内仅有理论研究，我们首次研发出了实物，且性能达到国际领先水平。”中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队技术专家说。

后续，中国电科将继续推动金刚石微波激射器的产业化落地，助力产品在深空通信、射电天文、高精度频标、雷达导航以及量子精密测量等多领域实现应用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/bkEbqWP5ePadlHWiqU2LtA

联盟动态

2025年4月2日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟2025年度第一次团体标准评审会，此次会议旨在对《SiC器件功率循环试验方法》一项标准草案和《碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法》、《碳化硅单晶切割片》、《金刚石单晶表面应力分布测定 拉曼光谱法》、《金刚石单晶中石墨相含量的测定 拉曼光谱法》4项标准送审稿进行研讨与评审。

宽禁带联盟标准化委员会委员及此次团体标准起草单位代表等共二十余位参加了本次会议。5月，联盟将对新一批立项标准进行评审。

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3月27日，由北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会主办，北京科技成果转化服务中心、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟承办的“设备-材料-制造-工艺半导体产业链协同创新”沙龙活动顺利举办。活动围绕半导体产业材料研发、设备突破、工艺协同及科技成果转化政策赋能等议题邀请北京邮电大学李培刚教授、中国科学院半导体研究所李弋洋老师、北京大钲科技刘欧老师、中国科学院物理研究所李辉老师、中国科学院理化技术研究所李江涛老师5位专家展开深度研讨。

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4月9日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会主办的“宽禁带半导体大讲堂第四期——金刚石：如何突破性能极限，打开产业新蓝海？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！本次活动邀请到上海征世科技股份有限公司副总经理、首席技术专家满卫东，北京特思迪半导体设备有限公司副总裁蒋继乐，西安电子科技大学副教授任泽阳，武创芯研科技（武汉）有限公司CTO秦松，北京莱泽光电技术有限公司副总经理于再林围绕大尺寸单晶金刚石产业化、精密抛光技术、超宽禁带半导体器件、生长过程建模仿真及高效激光划片加工等五大核心技术方向，深度剖析了金刚石当前技术瓶颈与产业化突破路径，共吸引线上线下观看直播人数超三万人次参与，精彩内容可【宽禁带联盟】视频号观看直播回放。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/IJqGTbNoYWu0tNdO2MvsdQ

活动详情：https://mp.weixin.qq.com/s/5GdCvQayXF-RNBu4F2SKlw

活动详情：https://mp.weixin.qq.com/s/OFVhNYUUQv96DEYMd5ohqw

活动详情：https://mp.weixin.qq.com/s/r2rqJfTUZXXEVPKUEfEUMQ

企业合作

近日，致瞻科技与欧洲行业头部企业正式签署长期保障供货协议，凭借高可靠性碳化硅功率模块技术和液冷超充系统集成能力，成为该客户在超充领域的核心供应商，将以确定性产能锁定方式在未来数年内持续供应价值数亿元的碳化硅液冷超充模块。此次合作不仅是致瞻科技在欧洲市场的新突破，更标志着其自主研发的碳化硅全液冷超充解决方案成功获得欧洲主流客户认可，即将大规模应用于欧洲充电基础设施网络，加速当地新能源产业升级。

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近日，华润微电子与美的集团在美的总部（广东佛山）全球创新中心正式签订了战略合作协议，双方将在半导体创新技术、行业智能化升级应用、供应链完善等多个关键领域展开深度合作。

据悉，双方将共同探索半导体技术的创新应用，特别是在智能功率模块、功率器件和功率集成电路、微控制器和传感器等领域。此次合作将充分发挥华润微电子在芯片设计和制造技术方面的优势，结合美的在产业应用领域的经验，推动半导体技术在家电领域的深度应用。

合作将聚焦于提升家电产品的智能化水平，通过技术创新实现产品的升级换代。双方将共同开发适用于家电产品的半导体解决方案，提升产品的性能和用户体验。

双方将携手优化供应链管理，确保半导体产品的稳定供应，提高供应链的效率和可靠性。

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2025年4月21日，在理想汽车上海研发中心，理想汽车与中国中车旗下株洲中车时代半导体签署《下一代功率模块授权开发技术协议》。双方宣布将基于理想汽车主导研发的XPM功率模块关键技术，面向理想汽车新一代增程电驱动系统应用正式开展合作，这也意味着XPM功率模块关键技术通过授权模式将向全行业开放。此举标志着中国新能源汽车核心零部件领域首次实现领军企业技术成果的规模化共享。

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4月16日，在上海举办的慕尼黑电子展，深圳方正微电子有限公司与上海爱卫蓝科技有限公司签订了战略合作伙伴协议，建设新能源电动压缩机和SiC功率半导体联合创新实验室。

此次签约，标志着双方在碳化硅领域的合作进入新阶段，将共同推动功率半导体行业的技术革新与创新应用。

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4月1日，英诺赛科与意法半导体共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议，双方将基于该协议充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案性能和供应链韧性。双方达成联合开发氮化镓功率技术的共识，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域获得广泛应用的光明前景。

根据协议，英诺赛科和意法半导体将互相利用对方的制造产能生产氮化镓晶圆。英诺赛科可使用意法半导体在中国以外的产能，而意法半导体可利用英诺赛科在中国的产能，双方合作旨在拓展氮化镓产品组合和市场供应能力，并通过优化供应链布局，满足客户对多样化应用的需求。

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4月8日，纳微半导体与兆易创新科技集团股份有限公司正式达成战略合作伙伴关系。

此次合作将纳微半导体高频、高速、高集成度的氮化镓技术与兆易创新先进的高算力MCU产品进行优势整合，打造智能、高效、高功率密度的数字电源产品，并配合兆易创新的全产业链的管理能力与纳微对系统应用的深刻理解，加速在AI数据中心、光伏逆变器、储能、充电桩和电动汽车商业化布局。

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近日，欧洲汽车芯片及零部件大厂博世宣布，将其量子传感器初创公司分拆出来，与合成金刚石制造商Element Six成立一家合资企业，即博世量子传感（Bosch Quantum Sensing）公司。

据介绍，该合资企业总部位于德国路德维希堡，目前拥有30名员工。博世本身将成为主要合作伙伴并负责运营。Element Six将持有25%的股份。新公司的成立仍需获得官方批准。

量子传感器是博世的一个关键技术领域，两家公司在过去几年中一直在合作，以博世十年的研究为基础。这实现了与现代智能手机大小相同的量子传感器原型，该合资企业的长期目标是将传感器集成到芯片上。

Element Six 首席执行官 Siobhán Duffy 表示：“通过博世和 Element Six 的合资企业，将我们的人造金刚石技术与博世量子传感的能力相结合，在医疗保健和导航等关键领域解锁新的可能性。”

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/_X5QMBkkpwL5Ep4KRt_v0A

企业动态/新产品/新技术

近日，万物生长大会组委会正式发布了浙江省独角兽企业系列榜单，包括“浙江独角兽企业”、“浙江未来独角兽企业TOP100”以及“浙江种子独角兽企业TOP100”。

在本次榜单评选中，宽禁带半导体技术创新联盟成员单位中电化合物与幄肯科技凭借在新能源新材料领域 的核心技术突破，入选“浙江未来独角兽企业TOP100”。此外，聚焦高端精密仪器制造的西湖仪器，凭借自主可控的半导体检测设备技术，成功跻身“浙江种子独角兽企业TOP100（先进制造）”。

此外，清纯半导体、派恩杰、晶瑞电子、晶越半导体、晶能微电子、至晟微电子、华熔科技等多家宽禁带半导体产业链企业同样入选榜单。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/G5ZBCEL4GwCflWUdLWSftQ

4月8日，士兰微披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送样，且预计2025年将上量。

士兰微自主研发的第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET芯片已送样多家客户评测，其性能指标接近国际主流的沟槽栅技术。这一突破意味着，士兰微在SiC核心技术上已撕开进口替代的缺口。

从技术迭代路径看，公司此前量产的Ⅱ代SiC芯片已成功打入国内4家头部车企供应链，累计交付电动汽车主电机驱动模块超5万只，良率与稳定性获客户认可。而第四代技术的推出，将进一步提升芯片能效，为高压平台电动车、超充桩等高端场景铺路。

同时，士兰微还加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至2024年底，士兰集宏8英寸SiC mini line已实现通线，公司Ⅱ代SiC芯片已在8英寸mini line上试流片成功，其参数与公司6英寸产品匹配，良品率明显高于6英寸。

士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年四季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/MlINmzxSumLCnzPBg4YjAw

近日，红点新材隆重推出第二代多孔石墨，解决碳化硅长晶包涵体问题及相关缺陷，推动客户提质增效，创造竞争优势。

多孔石墨作为一种关键工艺调控材料，对碳化硅长晶的缺陷控制和生长调控发挥着重要作用：

1. 减少碳包裹物缺陷 ：在PVT法长晶过程中，原料粉体分解会形成游离碳颗粒，这些颗粒会随气流上升进入晶体界面形成包裹物缺陷。多孔石墨内部曲折的孔隙通道可以有效阻挡碳颗粒，降低晶体缺陷密度。

2. 调整气相组分布：通过多孔石墨表面均匀的孔隙结构，可调整物质流的扩散速率和气流分布，避免局部过饱和导致的晶体缺陷，并优化晶体形态。

另外，多孔石墨还有调节温度场，调控晶体生长速度等重要作用。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/k9csVQD7VCxF7b-ibS69wQ

近期，杭州晶驰机电科技有限公司（以下简称“晶驰机电”）官方宣布在12寸碳化硅晶体生长技术上取得新进展，成功开发出电阻法12寸碳化硅晶体生长设备。据悉，该晶锭形态完美，表面微凸度精准控制在2.4mm以内，成功突破同一炉台多尺寸生长技术壁垒，实现了同一台设备既可稳定量产八寸碳化硅单晶，又完全具备生长十二寸碳化硅单晶的能力。

据悉，晶驰机电该设备采用电阻式物理气相传输（PVT）方法生长碳化硅晶锭，通过创新的结构和热场设计，结合先进的过程控制理论和自动化控制方法，实现了均匀的径向温度和宽范围精准可调的轴向温度梯度。这使得设备能够精准控制长晶过程中的工艺参数，并实现高度智能化运行。更重要的是，该设备能够无缝“一键切换”生产8英寸和12英寸的碳化硅单晶。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/QFKmtqC_lsZ0MbhoxOfUgA

近日，据“尖草坪发布”消息，山西天成自主研发的12英寸碳化硅长晶炉已进入炉体组装和工艺调试阶段，计划于今年第三季度投放市场。该公司技术研发和生产涉及碳化硅粉料合成、装备设计等制造全流程，形成了碳化硅衬底材料生产的优势闭环。

此外，山西天成在2024年实现了8英寸SiC单晶技术研发突破，开发出了直径为202mm的8英寸SiC单晶，各项参数指标良好。2024年该公司组合营收达到2100万元，其中80%的收入来自碳化硅单晶衬底生长装备的销售。另外，2025年第一季度已收到500万元的订单。

据悉，山西天成位于山西太原中北开发区的项目一期已经建成投产，建设完成后可年产5万片碳化硅衬底。2024年，公司还开始建设项目二期，包括厂房扩建、设备扩充以及构建多条切磨抛加工线。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/QFKmtqC_lsZ0MbhoxOfUgA

4月27日，中国有色金属工业协会在无锡组织召开科技成果评价会，对由连科半导体有限公司等单位完成的两项科技成果进行了评价。

专家组一致认为，“8 吋/12 吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术” 项目，联合了浙江大学等单位，在行业首次推出直流双电源加热器、双温区热场结构，加热功率下降35%，降低到28Kw；开发了高精度控制软件，实现了对气体流量、压力的精确控制，满足了8吋/12吋SiC单晶的稳定生长，技术难度大、复杂程度高。在多家碳化硅衬底企业推广应用后，经济、社会效益显著，助力客户生长8吋/12吋碳化硅晶体，厚度达到5cm以上。项目整体技术达到国际领先水平。

“200mm 区熔硅单晶炉成套技术”项目，独创了下主轴与密封内衬分别由伺服电机驱动并同步耦合控制的技术，及第二相机测量熔化流量的控制新思路，攻克了主轴高精密加工和装配问题。形成了关键技术-样机示范-产业化应用的全链条技术体系。技术难度大、复杂程度高。项目技术已在有研半导体硅材料股份公司成功投产并稳定运行，技术重现性好、成熟度高。项目整体技术达到国际领先水平。

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罗姆ROHM（总部位于日本京都市）推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV（电动汽车）车载充电器（以下简称“OBC”）的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐压的7款机型（BSTxxx2P4K01）。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/EVdPDWMfs5AMvpZsx-YcAw

三菱电机集团4月15日宣布，于4月22日开始供应两款新型空调及家电用SLIMDIP系列功率半导体模块样品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。作为该企业SLIMDIP系列中首款采用SiC技术的紧凑型端子优化模块，这两款产品在小型至大型电器应用中均能实现优异的输出性能与功耗降低，显著提升能效表现。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/2TVkcUljTbdybM-YLxfgBw

基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。该系列模块兼具SiC器件的低导通损耗、耐高温特性以及DCM、HPD模块的高功率密度、高系统效率等优异性能，在汽车主驱系统应用中展现出了强大的竞争力。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/6V3HDc-wSB8pHgkmT_NbjQ

2025年4月16日，在上海举行的三电关键技术高峰论坛上，方正微电子副总裁彭建华先生正式发布了第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，性能达到国际头部领先水平。方正微电子第二代车规主驱SiC MOS在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行业主流芯片面积需求条件下性能提升，可靠性3倍于行业通用认证要求：低导通电阻（13mΩ）、高击穿电压（>1500V）、高阈值电压（3V）、高可靠性（＞3000小时）以及可支持1000VDC电驱系统”等特点。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/gt3hjL4SXRa94n3poNdhTQ

4月17日，纳微半导体宣布推出最新SiCPAK™功率模块，该模块采用环氧树脂灌封技术及纳微独家的“沟槽辅助平面栅”碳化硅MOSFET技术，经过严格设计和验证，适用于最严苛的高功率环境，重点确保可靠性与耐高温性能。目标市场包括电动汽车直流快充（DCFC）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器与功率优化器、储能系统（ESS）、工业焊接及感应加热。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/Tw6_bSJOlrD3zo_olGS2WA

4月8日，据江苏淮安官方消息，江苏天晶智能装备有限公司（以下简称“天晶智能”）在12英寸碳化硅（SiC）切割设备领域实现重大技术突破，正式推出TJ320型超高速多线切割机。

据悉，TJ320机型集成了自主研发的超高速伺服张力控制系统和金刚石线循环切割技术，在线运行速度高达3000米/分钟，切割效率较传统设备提升300%，切割过程中张力控制精度大幅提高，极大地提升了加工稳定性。并且其支持4-12英寸晶圆兼容，单台年产能达20万片，可满足500辆新能源汽车的碳化硅电驱需求。

图4. 天晶智能发布12英寸碳化硅超高速多线切割机

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/QFKmtqC_lsZ0MbhoxOfUgA

近日，清纯半导体推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。该平台通过专利技术和工艺完善，实现了领先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ.cm²，进一步实现高电流处理能力和更小损耗，核心参数及各类可靠性已经实现了与国际主流厂商最领先产品的对标，可帮助新能源汽车电机驱动器进一步释放SiC高功率密度及高能量转化效率潜力，提高续航里程。

第3代产品通过了传统栅极可靠性试验对HTGB的考核、栅氧马拉松试验对寿命评估及高压H3TRB、复合应力C-HTRB等加严可靠性试验的测试。DRB、DGS等动态可靠性评估结果表明：第三代产品在动态可靠性试验前后电参数保持稳定，更适合主驱等多芯片并联应用场景，以确保系统在长期使用后依然具有较优的均流特性。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/-XYAB7OF7nplyvo9NifTfQ

4月7日，上汽通用五菱在杭州电竞中心举办“向上·超越”2025技术进化日活动，发布多项电智化技术成果，涵盖神炼电池、灵眸智驾、灵语座舱和灵犀动力四大板块。其中，灵犀动力3.0碳化硅电驱成为亮点。灵犀动力3.0采用十合一高集成电驱，集成P1电机、P3电机、双电机控制器模块、耦合系统模块等关键部件，系统重量降低10%，最大承载扭矩超4000N·m，结合主动加热和脉冲加热，既保证动力强劲平顺，更提升了冬季低温环境下的充电性能。

更值得关注的是，灵犀动力3.0的双电机控制器模块采用行业领先的碳化硅功率模块，兼容无级升压技术，功率密度提升50%，效率提升2%，馈电油耗更低。据了解，五菱的双电机电控和功率模块主要供应商为柳州臻驱电控科技有限公司。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/NdC8gYyyeHpgzonYmEfU8A

近日，英国华威大学工程学院和重庆赛力斯凤凰智创科技（ 赛力斯子公司 ）发表了一篇题为《基于碳化硅 MOSFET 的超低杂散电感双面散热无键合线半桥模块设计》的论文。

赛力斯团队开发了一种新型双面散热、无引线键合的半桥功率模块的设计，该模块采用了银烧结技术和碳化硅 MOSFET，该模块具有几个优势：

一是模拟杂散电感低至4.7nH，两并或五并的杂散电感可分别降至2.4nH和0.9nH。

二是与单面散热模块相比，该双面散热功率模块的结温降低了30° C。极端工况下，结温 (Tj) 约为199° C，比单面设计低39° C。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/f4UD7AkytKAaBtrm_80rog

《人工晶体学报》2025年54卷第4期发表了题为《4英寸高质量GaN单晶衬底制备》的研究快报（第一作者：齐占国；通信作者：王守志、张雷），报道了山东大学与山东晶镓半导体有限公司在4英寸高质量GaN单晶衬底制备方面取得的重大突破。该论文利用独特的多孔衬底技术成功制备4英寸高质量GaN单晶衬底，其位错密度低至~9.6×105 cm^-2。4英寸GaN衬底技术突破及规模化生产对GaN基器件（如蓝绿激光器与功率电子器件）的发展具有重要意义。

信息来源：https://mp.weixin.qq.com/s/FTXswezherNxfVgXMGV26w

BrightLoop官网透露， FLYING WHALES发布的第一架商用飞机 LCA60T的电机上，已正式启用BrightLoop的DC-AC 逆变器，主要负责动力推进、货物升降等运行工作。

据悉，BrightLoop的电源转换器采用了先进的半导体技术，包括碳化硅和氮化镓，分别用于高压和低压系统，可提高性能并减小尺寸。早在2020年，他们就与GaN Systems合作，利用 GaN Systems 的650V GaN 晶体管共同开发用于电动赛车运动和航空航天应用的最新 AC/DC 和 DC/DC 转换器产品。

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元脑服务器全面导入氮化镓（GaN）钛金电源方案，提供1300W/1600W/2000W多种规格选择，凭借氮化镓材料的高频低损特性，该方案能让智算中心主流通用服务器在20%-50%的典型负载区间时，稳定实现约96%的超高电源转换效率，超过全球最高能效权威标准80PLUS Titanium认证基值，重新定义服务器能效标准。与传统铂金电源相比，钛金电源的轻中载电能损耗可减少30%，单台服务器年节电量达数百千瓦时，万台规模数据中心折合电费每年可节省数百万元，推动智算中心PUE达到1.2以下，为数据中心节能降碳提供强力支撑。

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GaN专业公司宜普电源转换公司（EPC）推出了用于功率转换应用的新一代100 V eGaN FET——EPC2367。

EPC2367专为48 V中压总线架构而设计，可通过降低功率损耗、提高效率和实现更紧凑、更具成本效益的设计，显著提升功率系统的性能。

主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）：1.2 mΩ，比上一代同类最佳器件低约30%。该器件还采用了尺寸更小的3.3 mm × 3.3 mm QFN封装，从而节省了PCB空间并提高了热性能。此外，该器件在硬开关和软开关应用中的性能据称也优于同类器件，具有更高的效率和更低的功率损耗。其热循环能力是前几代GaN器件的四倍，确保了长期稳健运行。

EPC2367已经过严格的硬开关和软开关应用测试。性能结果表明，在整个功率范围内，其效率更高，功率损耗显著降低。在1 MHz、1.25 kW的系统中，与以前的GaN和硅MOSFET替代产品相比，EPC2367降低了功率损耗，同时将输出功率提升至1.25倍。

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英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。

英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，据英飞凌透露首款量产的100V/1.5mΩ型号采用紧凑的3×5mm封装，适用于服务器和电信 IBC、DC-DC 转换器、USB-C 电池充电器的同步整流器、大功率 PSU 和电机驱动器。

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4月14日，英诺赛科发布公告，宣布自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品已实现量产。

据介绍，该产品凭借其宽禁带特性，在高压高频场景中展现出显著优势，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源车、工业及AI数据中心等领域。具体来看，该产品的突破性设计不仅解决了800V电动汽车平台的车载充电系统效率瓶颈——通过缩小设备体积延长续航里程，还支持AI数据中心的高压总线架构，实现服务器电源的高密度电能转换。目前，该产品已经过客户验证，并在中大功率电源方面实现量产，未来将进一步应用于新能源汽车和AI数据中心等领域。

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近日，九峰山实验室（JFS Lab）向各科研机构提供氧化镓“Coupon to wafer”流片研发平台，同时提供多种科研级功率器件封装单管，包括JFS创新的Planar SBD、Trench SBD（肖特基势垒二极管）器件和平面MOSFET器件。它们都是基于全氧化镓材料制造，标志着JFS Lab在氧化镓半导体器件研发工艺平台有了较好的技术积累。此次发布的SBD和MOSFET科研级封装器件旨在满足客户对氧化镓器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动氧化镓行业的产业化发展。

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近日，日本株式会社 Novel Crystal Technology（NCT）公司正式宣布向全球合作客户推出其创新的Planar SBD（肖特基势垒二极管）器件。该器件基于全氧化镓材料制造，标志着NCT在氧化镓半导体领域的重大突破。此次发布的Planar SBD器件旨在满足客户对氧化镓器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动氧化镓行业的产业化发展。

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项目建设/投融资信息

2025年4月24日，清连科技（苏州）有限公司开业典礼在苏州工业园区隆重举行。公司将依托长三角的产业集聚优势与人才资源，以领先的技术实力和全流程质量管理体系，协同北京工厂持续聚焦纳米金属封装材料，全面覆盖当前主流纳米金属封装材料，并扩大纳米银、纳米铜封装材料产能，成长为纳米金属封装材料种类最齐全的企业，助力国产功率器件降本增效。此外，与新工厂一同落地启用的还有封装全流程实验室，助力客户突破技术瓶颈，抢占先机。

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4月23日，芯联集成电路制造股份有限公司（以下简称“芯联集成”）发布了《发行股份及支付现金购买资产暨关联交易报告书（草案）》。

报告显示，芯联集成计划通过发行股份及支付现金的方式，向包括绍兴滨海新区芯兴股权投资基金合伙企业（有限合伙）在内的15名交易对方购买其合计持有的芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称“芯联越州”）72.33%的股权。交易完成后，芯联越州将成为芯联集成的全资子公司。

通过全资控股芯联越州，芯联集成将实现一体化管理，整合双方在8英寸硅基产能、工艺平台、定制设计及供应链等方面的优势，降低管理复杂度，提升执行效率。另外，芯联集成还将利用自身技术、客户和资金优势，重点支持SiCMOSFET、高压模拟IC等高技术产品和业务的发展，贯彻整体战略部署。

据悉，芯联越州2025~2027年6英寸及8英寸碳化硅晶圆及模组（目前6英寸碳化硅客户及订单待后续8英寸产线成熟后可转入8英寸产线）需求量预测合计超过100亿元，标的公司及上市公司2025~2027年IGBT及硅基MOSFET（暂未包括为填充产能承接的MOSFET订单）需求量预测合计超过100亿元。

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4月15日，上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价（环评）公告。此次扩建项目拟新增总投资3.1亿元人民币，旨在进一步提升其在汽车功率半导体领域的产能。

根据公告，计划选址于无锡分公司，新增第二代框架式功率模块产品150万片产能。扩建项目完成后，上汽英飞凌无锡分公司的年产能将从现有的260万个提升至420万个。

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4月23日，丹佛斯动力系统官方宣布，他们的南京功率模块园区正式启用,总投资超8亿元，可年产IGBT/SiC功率模块250万只，电机及电驱动产品10万套。

丹佛斯的南京园区主要由2个工厂构成，分别是赛米控丹佛斯的功率模块工厂，以及丹佛斯Editron的电机和电控工厂。

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4月7日，中微半导体设备（上海）股份有限公司微观加工设备研发中心项目签约活动在南昌举行。据悉，中微公司此次签约的微观加工设备研发中心项目，将扩大在南昌高新区的研发投入力度。

项目重点聚焦于多个关键领域，包括用于先进封装产业半导体制造相关设备与工艺的开发、第三代半导体（碳化硅和氮化镓）功率器件相关制造设备与工艺的开发、Micro LED用MOCVD设备应用推广以及Mini LED用MOCVD设备性能提升等。这些研发方向不仅契合当前半导体产业的发展趋势，也体现了中微公司在高端微观加工设备领域的技术实力和战略布局。

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据韩媒4月7日报道，韩国东部高科（DB Hitech）近日透露，已在今年2月通过全自主工艺实现了8英寸SiC晶圆的生产与验证；并同时开发了8英寸GaN 650V HEMT工艺，计划年内完成可靠性验证。

东部高科是一家专门从事8英寸代工的公司，此前他们一直致力于开发6英寸SiC工艺，未来将在6英寸工艺基础上开发量产8英寸SiC工艺。

目前，东部高科拥有两座8英寸晶圆代工厂，一座Fab1位于韩国京畿道富川市，另一座工厂Fab2位于韩国忠清北道Eumseong的Sangwoo园区。2024年10月，东部高科宣布将在Sangwoo园区内投资扩建半导体洁净室，计划先行建设8英寸SiC产线。该投资预计到2027年10月末将投入总计2500亿韩元（约12.45亿人民币）、到2030年投入1.7万亿韩元（约88.74亿人民币）。截至当时，东部高科已进入建立8英寸试点工艺的最后阶段。预计从2026年开始，东部高科将投入生产设备，建立正式的量产体系，项目投产后，其8英寸SiC晶圆产能将达3.5万片/月。

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4月24日，芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约落户江阴霞客湾科学城，为江阴加快培育新质生产力、增强集成电路产业发展支撑力注入强劲动能。无锡市委常委、江阴市委书记许峰出席签约仪式，并与华泰国际能源开发有限公司董事长李华国一行会谈。

项目一期计划于今年5月启动建设、10月投产，并滚动启动二期、三期投资。预计三期累计总投资可达50亿元，助力江阴成为国内最大的第四代半导体芯片基板产业制造基地。

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4月8日，据香港证券交易所公示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司已递交招股说明书（申请版本），拟主板挂牌上市，由中金公司担任独家保荐人。

4月3日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司（以下简称“尚鼎芯”）正式向港交所递交了上市申请，这一举措标志着尚鼎芯在资本市场迈出了重要一步，旨在通过上市进一步提升公司的市场影响力和资金实力。

公开资料显示，尚鼎芯是一家专注于定制化功率半导体解决方案的供应商，成立于2011年。公司主要产品包括MOSFET、IGBT、GaN MOSFET及SiC MOSFET等，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、新能源及储能、医疗设备等多个领域。在今年1月16日，该公司被正式认定为高新技术企业。

4月6日，据外媒“the telegraph”报道，英国国防部长约翰·希利 (John Healey) 将向英国一家国有芯片工厂投资2亿英镑（约人民币18.89亿），用于对晶圆厂进行升级，以生产制造氮化镓芯片。

工商信息显示，近期珠海镓未来科技有限公司公司发生股东变更，2024年底至2025年初新增“深圳魔豆”及“北海山旁边”两家股东，疑似产业相关投资方，根据股比及历史信息推测，融资总金额在亿元以上。

此前，镓未来在行业中较为低调，2023年其B轮融资亦曾吸纳上市公司相关投资，但未作公开宣传。本轮投资尚未进一步披露，但据业内人士透露，投资方的产业协同效应有望为其带来较大数额营收。

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化，目前产品已陆续进入小米手机快充、联想笔电、昱能微逆、华宝储能等知名客户的典型应用中，并均实现量产。

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综合整理

宽禁带科技论

针对现有仿真模型在Si基GaN功率器件沿用蓝宝石基GaN的碰撞电离系数，且未充分考虑与缺陷相关的载流子输运机制，导致对Si基GaN器件漏电流和击穿行为的预测严重偏离实验值的瓶颈，近期广东工业大学、河北工业大学、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所和南方科技大学联合研制了Si基AlGaN/GaN凹槽阳极肖特基势垒二极管（SBD），研究团队对与缺陷相关的载流子输运及碰撞电离的物理模型进行了修正。基于修正后的物理模型，设计并制备具有MIS（金属-绝缘体-半导体）阳极结构的AlGaN/GaN SBD。通过数值模拟和实验对比验证，在相同反向偏压下，MIS SBD的漏电流较传统金属-半导体（MS）结构降低了3个数量级，击穿电压（BV）提升至~1100V，同时保持3.98 mΩ·cm²的低比导通电阻（Ron,sp），功率优值（BFOM）达0.3GW·cm-²。较于同类Si基GaN SBD，本研究得到的BFOM指标在正反向电学性能上取得较好的权衡，为高压功率电子器件的可靠设计与性能突破奠定了理论与技术基础。该研究以《Physical Model Development for Fabricating MIS-Anode-Based 1100 V AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes Grown on Silicon Substrate with Low Leakage Current》为题发表在Advanced Electronic Materials期刊上。

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西安电子科技大学郝跃院士团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发表了一篇名为1.96 kV p-Cr₂O₃/β-Ga₂O₃ heterojunction diodes with an ideality factor of 1.07（1.96 kV p-Cr₂O₃/β-Ga₂O₃异质结二极管，理想因子达到1.07）的文章。

该文章报道了一种具备千伏级击穿电压（BV）的 p-Cr₂O₃/n-Ga₂O₃ 垂直异质结二极管（HJD）。其中，p型氧化铬（Cr₂O₃）薄膜通过磁控溅射沉积而成，厚度约为20 nm，空穴浓度为1 × 10¹⁶cm⁻³。高分辨透射电子显微镜（HRTEM）表征显示，Ga₂O₃  薄膜呈多晶结构。在室温条件下，器件（半径 40 μm）表现出1.7 V的开启电压（Von）、4.6 mΩ·cm² 的单位面积导通电阻（Ron,sp），以及高达1.96 kV的击穿电压。尤其值得注意的是，该器件的理想因子（η）为1.07，是目前所有已报道Ga₂O₃ 异质结二极管中最接近理想值1的，表明其 p-Cr₂O₃/n-Ga₂O₃ 异质结界面质量极高。此外，在75 °C和150 °C条件下，该器件仍保持分别为1.63 kV和1.4 kV的击穿电压，显示出良好的高温稳定性和高功率应用潜力。

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由深圳平湖实验室和西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发表了一篇名为The impact of many-body effects on the properties of β-(AlGa)₂O₃/ Ga₂O₃ quantum cascade structure（多体效应对 β-(AlGa)₂O₃/ Ga₂O₃量子级联结构特性的影响）的文章。

该研究团队从理论上研究了多体效应（包括Hartree势、交换-相关势、去极化效应和激子效应）对一种n型β-(Al_0.3Ga_0.7)₂O₃ /Ga₂O₃量子级联结构的影响，该结构一个周期内包含四个宽度不同的量子阱。通过迭代求解薛定谔-泊松方程获得器件的导带结构和波函数，以描述束缚态之间的电子输运过程。研究结果表明，多体效应对能带参数，尤其是有源区量子阱中子带的能级和波函数，具有显著影响。考虑多体效应后，吸收峰值系数从原先的6.14 × 10⁻⁴ 增加至1246.93 cm⁻¹。去极化效应与激子效应共同引起了峰值响应波长约1.33 μm的偏移。此外，当温度从77 K升高至300 K时，器件的峰值响应度仅下降22.87 %，而峰值响应波长几乎不变，表明该量子级联探测器（QCD）具有出色的温度稳定性。在室温下，器件的暗电流仅为1.46 × 10⁻¹⁵ A，远低于部分在相似波长下工作的QCD器件（如InGaAs/InAlAs、AlGaAs/GaAs、InGaAs/AlGaAs 和 AlGaN/GaN 基器件）。该研究成果将有助于 β-(AlGa)₂O₃/ Ga₂O₃ QCD的进一步研发。

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